Yole Developpement：5G推動RF PA技術成長 LDMOS被GaN取代
Yole Developpement：5G推動RF PA技術成長 LDMOS被GaN取代
發布日期：2017-08-10 11:53
研究機構Yole Developpement指出，隨著5G技術日益成熟，未來射頻功率放大器（RF PA）市場將出現顯著成長，但傳統的LDMOS制程將逐漸被新興的氮化鎵（GaN）取代，砷化鎵（GaAs）的市場占比則相穩定對。
據Yole預估，電信基地臺設備升級與小型基地臺的廣泛布建，將是推動RF PA市場規模成長最主要的動力來源。 2016年全球RF PA市場規模約為15億美元，到2022年時，市場規模將達到25億美元，復合年增率（CAGR）為9.8%。 不過，由于導入新的射頻技術，并且使用更高的通訊頻段，因此RF PA必須使用新的制程技術來實現。
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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